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七大EMC抗擾度測(cè)試方法介紹分析

EMC抗擾度測(cè)試包括浪涌抗擾度測(cè)試、傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試、磁場(chǎng)測(cè)試、壓降測(cè)試、EFT測(cè)試、ESD測(cè)試、輻射抗擾度測(cè)試多種類型的測(cè)試。可衡量設(shè)備承受不同類型電磁現(xiàn)象的能力。這對(duì)于在國際上銷售的消費(fèi)品以及軍事，醫(yī)療，航空電子設(shè)備和其他專用產(chǎn)品來說非常重要。在這里，我們將介紹七個(gè)最常用EMC抗擾度測(cè)試的方法。

1.浪涌抗擾度測(cè)試

電磁浪涌可能由多種因素引起，包括間接雷擊和常規(guī)電源開關(guān)事件。出于合規(guī)性和可靠性的目的，至關(guān)重要的是要適當(dāng)?shù)胤乐沟皖l電涌對(duì)許多消費(fèi)品的影響。即使是瞬間電涌也會(huì)導(dǎo)致電弧放電，電纜故障，電機(jī)損壞以及許多其他問題。浪涌仿真需要使用專用的EMC測(cè)試設(shè)備來確認(rèn)已安裝適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)電路，以確保產(chǎn)品上市時(shí)不會(huì)出現(xiàn)任何責(zé)任問題。設(shè)備為雷擊浪涌發(fā)生器。

2.傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試

傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試包括模擬來自其他設(shè)備的潛在干擾，這些其他設(shè)備由同一電源網(wǎng)絡(luò)供電，或者通過電感耦合到其I / O線上。可以使用幾種不同類型的EMC測(cè)試設(shè)備，包括 CDN，BCI探頭和直流電壓注入設(shè)備。傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試的ES-608射頻傳導(dǎo)干擾模擬測(cè)試系統(tǒng)。

3.磁場(chǎng)測(cè)試

磁場(chǎng)測(cè)試使用EMC測(cè)試設(shè)備來模擬磁場(chǎng)的影響，并確保設(shè)備繼續(xù)正常運(yùn)行。需要此類抗擾性測(cè)試的典型設(shè)備包括CRT監(jiān)視器，電動(dòng)麥克風(fēng)等。

4.壓降測(cè)試

顧名思義，電壓降測(cè)試用于測(cè)試突然的電壓驟降或其他電源中斷對(duì)設(shè)備的影響。這將復(fù)制掉電的影響以及設(shè)備可能會(huì)遇到的交流電源網(wǎng)絡(luò)中的正常波動(dòng)。在電壓降測(cè)試中，抽頭自耦變壓器和 抗擾度測(cè)試系統(tǒng) 將運(yùn)行一系列模擬，這些模擬具有變化的長(zhǎng)度和嚴(yán)重程度的跌落和跌落。電壓降測(cè)試還用于測(cè)試設(shè)備在完全斷電后成功重啟的能力。

5.EFT測(cè)試

EFT（電快速瞬變）測(cè)試可復(fù)制由電網(wǎng)上的感性負(fù)載切換引起的干擾。突發(fā)發(fā)生器用于模擬電氣開關(guān)，電動(dòng)機(jī)和繼電器，熒光燈鎮(zhèn)流器以及其他常見瞬變?cè)驅(qū)Ρ粶y(cè)設(shè)備的影響。不正確的接地或共模轉(zhuǎn)換可能導(dǎo)致故障，內(nèi)部損壞，輔助設(shè)備問題，通信問題等等。EFT測(cè)試通常在交流或直流電源端口以及信號(hào)/控制端口上執(zhí)行，信號(hào)/控制端口可以連接到長(zhǎng)度超過3m的電纜。

6.ESD測(cè)試

靜電放電（ESD）是指電擊由于積聚的靜電而產(chǎn)生的靜電放電（地毯電擊）。這些短暫的能量爆發(fā)會(huì)導(dǎo)致許多問題，例如IC端口損壞，通信故障，LCD屏幕損壞等等。ESD測(cè)試是通過EMC測(cè)試設(shè)備執(zhí)行的，該設(shè)備會(huì)產(chǎn)生短暫的能量爆發(fā)，通常在4kV和8kV時(shí)。測(cè)試設(shè)備配備有可模擬電荷的直接接觸和空中傳輸?shù)募记伞３Ｒ姷脑O(shè)備為靜電放電發(fā)生器。

7.輻射抗擾度測(cè)試

輻射抗擾度測(cè)試可評(píng)估設(shè)備在暴露于不同電場(chǎng)源的情況下正常運(yùn)行的能力。電磁噪聲可能來自多種來源，從手機(jī)，微波爐到Wi-Fi路由器。

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